新能源汽车、智能电网、光伏风电、5G通信……无论是在产业发展的重要领域，还是在日常电子产品中，都离不开碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率电子器件。随着市场需求激增，为进一步降低生产成本，更好地满足大规模生产需求，8英寸及以上大尺寸碳化硅衬底成为技术攻关的重点。
电科装备坚持“装备+工艺+服务”理念，紧盯大尺寸发展趋势，自主研发了多款碳化硅衬底材料加工关键装备，形成大尺寸加工智能解决方案，以线带面，赋能我国化合物半导体产业优化升级。
冠军产品发挥集成优势
产线竞争优势从何而来？降低成本、提高效率、扩大产能是关键。
基于对产业链需求的精准把握，电科装备直击行业痛点，培育了晶锭减薄设备、激光剥离设备、晶片减薄设备、化学机械抛光设备等明星产品，形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解决方案。
“我们是国内首个同时具备四种设备且提供智能集成服务的供应商。”电科专家表示，“在加工效率方面，该解决方案可将单片加工时间由90分钟缩短到25分钟左右；在成本控制方面，将单片损失从220微米减少到80微米，每个晶锭可切割晶片的数量约为现有工艺的1.4倍，有效解决当前的效率和成本痛点。”
高度智能实现协同效应
在碳化硅衬底生产线上，电科装备的加工智能解决方案因其高度自动化，实现了设备与产线的完美融合。
与传统的材料加工自动化程度不高、重点依赖人力相比，该方案四个核心设备都具备高度自动化能力，且在生产过程中可通过搬送机器人等实现机台间的物料传输，实现多工序协同工作，进一步减少等待时间，缩短产品生产周期，提高整体生产效率。
同时，自动化生产流程能让人为误差降至最低，保障产品良率和一致性，配套的全流程数据记录与分析也更利于工程师快速定位质量问题根源，不断改进生产工艺，为半导体产业发展带来更多增值空间。
全新工艺加速产能释放
“如今碳化硅行业价格战打得火热，面对愈演愈烈的竞争形势，我们致力于开发新技术新工艺，为客户提供更优质的解决方案来降低制造成本，而不是在低效的价格内卷中停滞不前。”专家表示。
在该解决方案中，电科装备采用最新激光剥离工艺进行晶体切片，相较于传统加工产线采用的多线切割晶体切片技术，激光剥离设备可以使激光聚焦在碳化硅晶体内部诱导产生一层裂纹，从而避免了传统多线切割造成的切割线损，平均每片切割研磨损耗仅为原来的40%左右，显著降低加工成本。 目前该解决方案已获得市场积极反�。胗没Р呖故匝檠橹ぃ⒂攵嗉彝凡科笠荡锍梢庀蚝献�。
“这是一次装备、工艺、服务全面整合升级的大胆实践。”专家表示，未来电科装备将不断优化该解决方案，坚持创新驱动，以技术创新推动产业创新，为我国化合物半导体产业的高质量发展贡献力量。
